产品概述
描述
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
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所有功能
- 处于市面上最低的 RDS(on) 行列
- 出色的品质因数（FoM）
- 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
- 坚固的抗雪崩能力
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STD130N6F7
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符号
封装
3D模型
全部资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 2.0 | 07 Sep 2017 | 07 Sep 2017 |
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 封装 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | 温度（ºC） | Operating Temperature (°C) (min) | ||
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| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STD130N6F7 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | DPAK | Tape and Reel | CHINA | EAR99 | NEC | - | - | - | |||
STD130N6F7 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
封装:
DPAK
包装类型:
Tape and Reel
RoHS:
-
Country of Origin:
CHINA
ECCN (US):
EAR99
ECCN (EU):
NEC
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