产品概述
描述
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.-
所有功能
- Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
精选 视频
Ideal for hard-switching and high-current topologies
All tools & software
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STD15P6F6AG
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符号
封装
3D模型
全部资源
| Resource title | 版本 | Latest update |
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SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
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| ZIP | 1.0 | 02 Nov 2015 |
02 Nov 2015
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样片和购买
| 产品型号 | 从分销商订购 | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STD15P6F6AG | 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
批量生产
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EAR99 | NEC | Tape And Reel | DPAK | - | - | CHINA | 0.292 / 1k | ||
供货状态
批量生产ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
0.292 / 1k