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STD15P6F6AG

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Automotive-grade P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss
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STD15P6F6AG DPAK Tape And Reel
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      		DS11317
      Automotive-grade P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package       		1.0
      637.75 KB
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      DS11317

      Automotive-grade P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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硬件型号、CAD库及SVD

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      		STD15P6F6AG PSpice model 1.0
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      STD15P6F6AG PSpice model

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STD15P6F6AG
批量生产
DPAK Automotive Ecopack1

STD15P6F6AG

Package:

DPAK

Material Declaration**:

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批量生产

Package

DPAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

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