STD17NF03L-1

NRND

N-channel 30 V, 0.038 Ohm typ., 17 A STripFET II Power MOSFET in IPAK package

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  • These Power MOSFETs have been developed using STMicroelectronics’ unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the devices suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements.

    主要特性

    • Exceptional dv/dt capability
    • Application oriented characterization
    • Low gate charge at 100°C
    • Switching application
    • 100% avalanche tested

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS2001
      N-channel 30V - 0.038Ω - 17A - DPAK/IPAK STripFET™ II Power MOSFET
      4.3
      305.67 KB
      PDF
      DS2001

      N-channel 30V - 0.038Ω - 17A - DPAK/IPAK STripFET™ II Power MOSFET

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN1506
      A motor drives system for wheelchair applications
      1.2
      139.23 KB
      PDF
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
      PDF
      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
      1.45 MB
      PDF
      AN4192
      Power MOSFETs: best choice guide for VRM application
      1.0
      4.8 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN1506

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      AN4192

      Power MOSFETs: best choice guide for VRM application

      AN4337

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STD17NF03L-1
NRND
IPAK Industrial Ecopack2

STD17NF03L-1

Package:

IPAK

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

IPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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