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STD19N3LLH6AG

NRND
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汽车级N沟道30 V、25 mOhm典型值、10 A STripFET H6功率MOSFET，DPAK封装

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss
    • Logic level
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
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800 V MDmesh K5 MOSFETs
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Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		DS11306
      Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mΩ typ., 10 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a DPAK package       		2.0
      784.86 KB
      		PDF
      DS11306

      Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mΩ typ., 10 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a DPAK package

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN1506
      A motor drives system for wheelchair applications       		1.2
      139.23 KB
      		PDF
      		AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance       		1.2
      1.13 MB
      		PDF
      		AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications       		1.2
      1.45 MB
      		PDF
      		AN4192
      Power MOSFETs: best choice guide for VRM application       		1.0
      4.8 MB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN1506

      A motor drives system for wheelchair applications

      PDF
      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      PDF
      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

      PDF
      AN4192

      Power MOSFETs: best choice guide for VRM application

      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		STD19N3LLH6AG PSpice model 1.0
      10.4 KB
      		ZIP

      STD19N3LLH6AG PSpice model

      ZIP

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      		PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

      PDF

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STD19N3LLH6AG
NRND
DPAK 汽车应用 Ecopack1

STD19N3LLH6AG

Package:

DPAK

Material Declaration**:

More Info

Marketing Status

NRND

Package

DPAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

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封装
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DIGIKEY WORLDWIDE 2155 1 马上订购
ARROW EUROPE 5000 0 马上订购
Newark Element14 AMERICA 621 0 马上订购
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EAR99 NEC Tape And Reel DPAK - - CHINA

STD19N3LLH6AG

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ECCN (EU)

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包装类型

Tape And Reel

封装

DPAK

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-

(最大值)

-

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(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商 。