STD25N10F7

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N沟道100 V、0.027 Ohm典型值、25 A STripFET F7功率MOSFET,DPAK封装

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  • 该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。

    主要特性

    • 超低导通电阻
    • 经过100%雪崩测试

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS9936
      N-channel 100 V, 0.027 Ω typ., 25 A, STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and TO-220 packages
      1.0
      1.25 MB
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      DS9936

      N-channel 100 V, 0.027 Ω typ., 25 A, STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and TO-220 packages

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
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      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
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      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
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    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

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      STD25N10F7 PSpice model 1.0
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出版刊物和宣传资料

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      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

质量与可靠性

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STD25N10F7
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DPAK Industrial Ecopack2

STD25N10F7

Package:

DPAK

Material Declaration**:

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Marketing Status

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Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

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(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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DIGIKEY WORLDWIDE 2397 1 马上订购
RS COMPONENTS EUROPE 705 1 马上订购
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DPAK

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(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商