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STD26P3LLH6

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P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 12 A, STripFET(TM) VI DeepGATE Power MOSFET in a DPAK package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages

    主要特性

    • RDS(on)* Qgindustry benchmark
    • Extremely low on-resistance RDS(on)
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate input resistance
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STD26P3LLH6

封装

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      		DS9219
      P-channel 30 V, 0.024 Ω typ., 12 A, STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in a DPAK package       		5.0
      982 KB
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      DS9219

      P-channel 30 V, 0.024 Ω typ., 12 A, STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in a DPAK package

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages       		1.3
      776.65 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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硬件型号、CAD库及SVD

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      		STD26P3LLH6 PSpice model 1.0
      4.49 KB
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      STD26P3LLH6 PSpice model

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STD26P3LLH6
批量生产
DPAK Industrial Ecopack2

STD26P3LLH6

Package:

DPAK

Material Declaration**:

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批量生产

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DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

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