STD3N40K3

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N-channel 400 V, 2.7 Ohm typ., 2 A SuperMESH K3 Power MOSFET in a DPAK package

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  • This SuperMESH3™ Power MOSFET is the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. This device boasts an extremely low on- resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering it suitable for the most demanding applications.

    主要特性

    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt capability
    • Gate charge minimized
    • Very low intrinsic capacitance
    • Improved diode reverse recovery characteristics
    • Zener-protected

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      1.1
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      N-channel 400 V, 2.7 Ω typ., 2 A SuperMESH3™ Zener-protected Power MOSFET in a DPAK package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
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      Fishbone diagram for power factor correction

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      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

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      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      Spice model tutorial for Power MOSFETs

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STD3N40K3
批量生产
DPAK Industrial Ecopack2

STD3N40K3

Package:

DPAK

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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