STD40P3LLH6

NRND

P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -40 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STD40P3LLH6 DPAK Tape And Reel
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      DS10143

      P-channel -30 V, 12 mΩ typ., -40 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a DPAK package

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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
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      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STD40P3LLH6
NRND
DPAK Industrial Ecopack2

STD40P3LLH6

Package:

DPAK

Material Declaration**:

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Marketing Status

NRND

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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