STD40P3LLH6

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This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low R_DS(on) in all packages.

主要特性
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
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  制造商
  
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  ST MOSFET Finder ST MOSFET product finder application for Android and iOS
  
  产品型号
  
  ST MOSFET Finder
  
  MOSFET product finder application for Android and iOS

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  DS10143
  P-channel -30 V, 12 mΩ typ., -40 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a DPAK package 4.0
  728.43 KB
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  DS10143
  
  P-channel -30 V, 12 mΩ typ., -40 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a DPAK package
  
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应用手册
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  AN4337
  The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters 1.1
  347.01 KB
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  AN4337
  
  The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
  
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用户手册
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  UM1575
  Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3
  1.51 MB
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  UM1575
  
  Spice model tutorial for Power MOSFETs
  
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