Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mOhm typ., -50 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    Key Features

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS11026
      Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mΩ typ., -50 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package
      2.0
      729.64 KB
      PDF
      DS11026

      Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mΩ typ., -50 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      STD45P4LLF6AG PSpice model 1.0
      8.95 KB
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      STD45P4LLF6AG PSpice model

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 Material Declaration**
STD45P4LLF6AG
批量生产
DPAK 汽车 Ecopack1

STD45P4LLF6AG

Package:

DPAK

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

DPAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.