产品概述
描述
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。-
所有功能
- 处于市面上最低的 RDS(on) 行列
- 出色的品质因数（FoM）
- 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
- 坚固的抗雪崩能力
精选 视频
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
Ideal for hard-switching and high-current topologies
All tools & software
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STD46N6F7
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符号
封装
3D模型
全部资源
| Resource title | 版本 | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 04 Feb 2016 |
04 Feb 2016
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样片和购买
| 产品型号 | 从分销商订购 | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STD46N6F7 | 1 distributors |
NRND
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EAR99 | NEC | Tape And Reel | DPAK | - | - | CHINA | |||
供货状态
NRNDECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
