STD65N160M9

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N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET in a DPAK package

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产品概述

描述

该N沟道功率MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术,该技术适用于单位面积导通电阻RDS(on)非常低的中/高电压MOSFET。基于硅的M9技术采用多漏制造工艺,增强了器件结构。在所有硅基快速开关超结功率MOSFET中,运用此工艺制造的产品具有较低的导通电阻并降低了栅极电荷值,特别适合需要超高功率密度和出色效率的应用。

  • 所有功能

    • 品质因数RDS(on)*Qg在硅基器件中非常出色
    • 更高的VDSS额定值
    • 更高的dv/dt性能
    • 出色的开关性能
    • 易于驱动
    • 经过100%雪崩测试
    • 稳压保护

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    • 产品型号
      状态
      描述
      类型
      供应商

      STPOWER MOSFET Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

      Finder应用程序 ST
      STPOWER MOSFET Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STD65N160M9

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3D model

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质量与可靠性

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STD65N160M9
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DPAK 工业 Ecopack2

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DPAK

Material Declaration**:

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Package

DPAK

Grade

Industrial

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Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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