产品概述
描述
这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。-
所有功能
- 业界领先的低RDS(on)
- 业界出色的品质因数(FoM)
- 极低的栅极电荷
- 经过100%雪崩测试
- 稳压保护
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ZIP | 1.0 | 03 Feb 2015 | 03 Feb 2015 |