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STD6N80K5

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N沟道800 V、1.3 Ohm典型值、4.5 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装

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  • 这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。

    主要特性

    • 业界领先的低RDS（on）
    • 业界出色的品质因数（FoM）
    • 极低的栅极电荷
    • 经过100％雪崩测试
    • 稳压保护
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
900 V MDmesh K5 MOSFETs

Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ

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800 V MDmesh K5 MOSFETs
800 V MDmesh K5 MOSFETs

Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages

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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		DS9676
      N-channel 800 V, 1.3 Ω typ., 4.5 A MDmesh™ K5 Power MOSFETs in D²PAK, DPAK, I²PAK and TO-220 packages       		3.0
      1.26 MB
      		PDF
      DS9676

      N-channel 800 V, 1.3 Ω typ., 4.5 A MDmesh™ K5 Power MOSFETs in D²PAK, DPAK, I²PAK and TO-220 packages

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

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      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		STD6N80K5 PSpice model 1.0
      8.14 KB
      		ZIP

      STD6N80K5 PSpice model

      ZIP

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF
      		800-1050V MDmesh™ K5 ST’s first super-junction VHV MOSFET Series 1.0
      516.44 KB
      		PDF
      		800-1700 V MDmesh K5: Very high voltage super-junction Power MOSFET series 1.0
      477.67 KB
      		PDF
      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      800-1050V MDmesh™ K5 ST’s first super-junction VHV MOSFET Series

      PDF

      800-1700 V MDmesh K5: Very high voltage super-junction Power MOSFET series

      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
      		PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

      PDF

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STD6N80K5
批量生产
DPAK 工业 Ecopack2

STD6N80K5

Package:

DPAK

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

样片和购买

产品型号
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ARROW EUROPE 7500 0 马上订购
Newark Element14 AMERICA 1125 0 马上订购
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MOUSER WORLDWIDE 2465 1 马上订购
Farnell Element14 EUROPE 3121 1 马上订购

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获取样片 DPAK Tape And Reel
批量生产
EAR99 CHINA

STD6N80K5

封装

DPAK

包装类型

Tape And Reel
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CHINA

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商 。