产品概述
描述
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
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所有功能
- 极低的栅极电荷
- 超低导通电阻
- 低栅极输入电阻
精选 视频
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
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EDA符号、封装和3D模型
样片和购买
产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度(ºC) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小值 | 最大值 | |||||||||||
STD80N10F7 | distributors 无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | DPAK | - | - | CHINA | |