产品概述
描述
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
-
所有功能
- 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证
- 处于市面上最低的 RDS(on)行列
- 出色的品质因数（FoM）
- 较低的 Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力
- 坚固的抗雪崩能力
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STD85N10F7AG
为您的应用下载所有EDA符号、封装和3D模型，加快您的设计速度。您可以从大量CAD格式中进行选择，以匹配您的设计工具链。
符号
封装
3D模型
全部资源
| 资源标题 | 版本 | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 24 Feb 2016 | 24 Feb 2016 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|
| STD85N10F7AG | 批量生产 | DPAK | 汽车应用 | Ecopack1 | |
STD85N10F7AG
Package:
DPAKMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
Don't show this again
| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STD85N10F7AG | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | DPAK | - | - | CHINA | | ||
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
Don't show this again