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N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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  • This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主要特性

    • Fast-recovery body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Low on-resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected
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      N-channel 600 V, 550 mΩ typ., 8 A, MDmesh™ DM2 Power MOSFET in a DPAK package       		3.0
      377.65 KB
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      DS11054

      N-channel 600 V, 550 mΩ typ., 8 A, MDmesh™ DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN4720
      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection       		1.0
      1.4 MB
      		PDF
      		AN5427
      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode       		1.0
      834.68 KB
      		PDF
      		AN2626
      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter       		1.4
      446.79 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
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      Fishbone diagram for power factor correction

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      AN4720

      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection

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      AN2626

      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter

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      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
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      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		STD8N60DM2 pSpice Model 1.0
      10.21 KB
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      STD8N60DM2 pSpice Model

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出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF
      		400/650 V MDmesh DM2: STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.0
      643.03 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

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      400/650 V MDmesh DM2: STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
      		PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STD8N60DM2
批量生产
DPAK Industrial Ecopack2

STD8N60DM2

Package:

DPAK

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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