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STD8N60DM2

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N沟道600 V、550 mOhm典型值、8 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装

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产品概述

描述

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

  • 所有功能

    • Fast-recovery body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Low on-resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected
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      批量生产

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

      		 Finder Apps ST
      STPOWER MOSFET Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

EDA符号、封装和3D模型

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STD8N60DM2 pSpice Model
1.0 04 Oct 2019
04 Oct 2019
STD8N60DM2 pSpice Model 1.0

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STD8N60DM2
批量生产
DPAK 工业 Ecopack2

STD8N60DM2

Package:

DPAK

Material Declaration**:

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批量生产

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。

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封装
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包装类型

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封装

DPAK

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Country of Origin

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(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商。