STD96N3LLH6 - N-channel 30 V, 0.0037 Ohm typ., 80 A, in DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET - STMicroelectronics

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This product is an N-channel Power MOSFET that utilizes the 6th generation of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest R_DS(on)in all packages.

主要特性
- R_DS(on)* Q_gindustry benchmark
- Extremely low on-resistance R_DS(on)
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power losses
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STD96N3LLH6

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  DS7096
  N-channel 30 V, 0.0037 Ω, 80 A, DPAK STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET 1.1
  947.34 KB
  PDF
  
  DS7096
  
  N-channel 30 V, 0.0037 Ω, 80 A, DPAK STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET
  
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应用手册

	描述	版本	文档大小	操作
	AN1506 A motor drives system for wheelchair applications	1.2	139.23 KB	PDF
	AN1703 Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages	1.3	776.65 KB	PDF
	AN3267 Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance	1.2	1.13 MB	PDF
	AN4191 Power MOSFET: Rg impact on applications	1.2	1.45 MB	PDF
	AN4192 Power MOSFETs: best choice guide for VRM application	1.0	4.8 MB	PDF
	AN4337 The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters	1.1	347.01 KB	PDF

AN1506

A motor drives system for wheelchair applications

AN1703

Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

AN3267

Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

AN4191

Power MOSFET: Rg impact on applications

AN4192

Power MOSFETs: best choice guide for VRM application

AN4337

The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

用户手册
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  UM1575
  Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3
  1.51 MB
  PDF
  
  UM1575
  
  Spice model tutorial for Power MOSFETs
  
  PDF

产品型号	供货状态	封装	等级规格	符合RoHS级别	材料声明**
STD96N3LLH6	批量生产	DPAK	Automotive	Ecopack1	PDF XML

STD96N3LLH6

Package:

DPAK

Material Declaration**:

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系销售支持。