STE140NF20D

NRND

N沟道200 V、10 mOhm典型值、140 A STripFET(TM) II功率MOSFET(带高速二极管),ISOTOP封装

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This Power MOSFET is produced using STMicroelectronics’ unique STripFETTMprocess, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. The device offers extremely fast switching performance thanks to the intrinsic fast body diode, making the device ideal for hard switching topologies.

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EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - STE140NF20D

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STE140NF20D
NRND
ISOTOP 工业 Ecopack2

STE140NF20D

Package:

ISOTOP

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

ISOTOP

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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产品型号
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供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
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最小值
最大值
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NRND
EAR99 NEC Tube ISOTOP - - MOROCCO 52.035 / 10

STE140NF20D

供货状态

NRND

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

52.035 / 10

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

ISOTOP

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

52.035 / 10

Country of Origin

MOROCCO

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商