STF10P6F6

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These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low R_DS(on) in all packages.

主要特性
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
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封装

TO-220FP

包装类型

Tube

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软件开发工具
- Picture 产品型号
  
  制造商
  
  描述
  
  ST MOSFET Finder ST MOSFET product finder application for Android and iOS
  
  产品型号
  
  ST MOSFET Finder
  
  MOSFET product finder application for Android and iOS

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	ST MOSFET Finder	ST	MOSFET product finder application for Android and iOS

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产品规格

	描述	版本	文档大小	操作
	DS8964 P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages	5.0	1.17 MB	PDF

DS8964

P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages

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应用手册
- 描述版本文档大小操作
  
  AN4337
  The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters 1.1
  347.01 KB
  PDF
  
  AN4337
  
  The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
  
  PDF
用户手册
- 描述版本文档大小操作
  
  UM1575
  Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3
  1.51 MB
  PDF
  
  UM1575
  
  Spice model tutorial for Power MOSFETs
  
  PDF

	描述	版本	文档大小	操作
	AN4337 The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters	1.1	347.01 KB	PDF

	描述	版本	文档大小	操作
	UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs	1.3	1.51 MB	PDF

硬件型号、CAD库及SVD

	描述	版本	文档大小	操作
	STF10P6F6 PSpice model	1.0	8.9 KB	ZIP

产品型号	供货状态	封装	等级规格	符合RoHS级别	Material Declaration**
STF10P6F6	NRND	TO-220FP	工业	Ecopack2	PDF XML

STF10P6F6

Package:

TO-220FP

Material Declaration**:

PDF XML

More Info

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.