STF10P6F6

NRND

P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220FP package

下载数据手册

Order from our distributors

Check availability
概述
工具与软件
资源
解决方案
质量与可靠性
Sales Briefcase
eDesignSuite
开始
样片和购买
Partner products
  • These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

样片和购买

产品型号
封装
包装类型
供货状态
ECCN (US)
Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
从ST订购
从分销商订购
STF10P6F6 TO-220FP Tube
NRND
EAR99 - 0.88 / 1k 查看供货情况

...的经销商可用性STF10P6F6

代理商名称
地区 库存 最小订购量 第三方链接
DIGIKEY WORLDWIDE 1947 1 马上订购
Farnell Element14 EUROPE 2813 1 马上订购

代理商库存报告日期: 2020-04-06

代理商名称

DIGIKEY

库存

1947

Min.Order

1

地区

WORLDWIDE 马上订购

Farnell Element14

库存

2813

Min.Order

1

地区

EUROPE 马上订购

代理商库存报告日期: 2020-04-06

STF10P6F6

封装

TO-220FP

包装类型

Tube

Budgetary Price (US$)*/Qty

0.88 / 1k

...的经销商可用性STF10P6F6

代理商名称
地区 库存 最小订购量 第三方链接
DIGIKEY WORLDWIDE 1947 1 马上订购
Farnell Element14 EUROPE 2813 1 马上订购

代理商库存报告日期: 2020-04-06

代理商名称

DIGIKEY

库存

1947

Min.Order

1

地区

WORLDWIDE 马上订购

Farnell Element14

库存

2813

Min.Order

1

地区

EUROPE 马上订购

代理商库存报告日期: 2020-04-06

供货状态

NRND

Budgetary Price (US$)* / Qty

0.88 / 1k

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

-

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商

精选 产品

移动应用

    • 产品型号

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

00 选择要下载的文档

技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS8964
      P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages
      5.0
      1.17 MB
      PDF
      DS8964

      P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      STF10P6F6 PSpice model 1.0
      8.9 KB
      ZIP

      STF10P6F6 PSpice model

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STF10P6F6
NRND
TO-220FP Industrial Ecopack2

STF10P6F6

Package:

TO-220FP

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

TO-220FP

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

支持中心或提供反馈