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STF10P6F6

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P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220FP package

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  • These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss
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STF10P6F6 TO-220FP Tube
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      		DS8964
      P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages       		5.0
      1.17 MB
      		PDF
      DS8964

      P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages

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      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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硬件型号、CAD库及SVD

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      		STF10P6F6 PSpice model 1.0
      8.9 KB
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      STF10P6F6 PSpice model

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STF10P6F6
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TO-220FP Industrial Ecopack2

STF10P6F6

Package:

TO-220FP

Material Declaration**:

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Marketing Status

NRND

Package

TO-220FP

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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