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STF10P6F6

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P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220FP package

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  • These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss
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样片和购买

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STF10P6F6 TO-220FP Tube
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STF10P6F6

封装

TO-220FP

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Tube
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      		DS8964
      P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages       		5.0
      1.17 MB
      		PDF
      DS8964

      P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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硬件型号、CAD库及SVD

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      		STF10P6F6 PSpice model 1.0
      8.9 KB
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      STF10P6F6 PSpice model

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STF10P6F6
NRND
TO-220FP 工业 Ecopack2

STF10P6F6

Package:

TO-220FP

Material Declaration**:

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Marketing Status

NRND

Package

TO-220FP

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

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