STF140N8F7

NRND

N沟道80 V、3.5 mOhm典型值、64 A STripFET F7功率MOSFET,TO-220FP封装

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  • 该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

    主要特性

    • 处于市面上最低的RDS(on)行列
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力

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STMicroelectronics - STF140N8F7

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STF140N8F7
NRND
TO-220FP 工业 Ecopack2

STF140N8F7

Package:

TO-220FP

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

TO-220FP

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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ECCN (US)
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包装类型
封装
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NRND
EAR99 NEC Tube TO-220FP - - CHINA

STF140N8F7

供货状态

NRND

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-220FP

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-

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-

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Country of Origin

CHINA

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