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N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP package

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  • This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主要特性

    • Fast-recovery body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Low on-resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected
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      696.75 KB
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      DS10026

      N-channel 600 V, 0.175 Ω typ., 18 A MDmesh™ DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package

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      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
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      		AN4720
      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection       		1.0
      1.4 MB
      		PDF
      		AN5427
      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode       		1.0
      834.68 KB
      		PDF
      		AN2626
      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter       		1.4
      446.79 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
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      AN4720

      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection

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      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode

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      AN2626

      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter

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      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
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      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

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      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		STF24N60DM2 PSpice model 1.0
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      STF24N60DM2 PSpice model

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出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF
      		400/650 V MDmesh DM2: STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.0
      643.03 KB
      		PDF
      		STPOWER™ Transistors in the 10 years longevity program 1.0
      784.76 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

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      400/650 V MDmesh DM2: STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

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      STPOWER™ Transistors in the 10 years longevity program

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STF24N60DM2
批量生产
TO-220FP Industrial Ecopack2

STF24N60DM2

Package:

TO-220FP

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

TO-220FP

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Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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