STF45N10F7

NRND

N沟道100 V、0.0145 Ohm典型值、30 A STripFET F7功率MOSFET,TO-220FP封装

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该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)

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STMicroelectronics - STF45N10F7

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符号

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3D model

3D模型

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STF45N10F7
NRND
TO-220FP 工业 Ecopack2

STF45N10F7

Package:

TO-220FP

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

TO-220FP

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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供货状态
ECCN (US)
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包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
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EUROPE 马上订购

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供货状态

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EAR99

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代理商名称

RS COMPONENTS

库存

900

Min.Order

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-220FP

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

0.9219 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商