STF80N10F7

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N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220FP package

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  • 该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)

    主要特性

    • 极低的栅极电荷
    • 超低导通电阻
    • 低栅极输入电阻

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STF80N10F7 TO-220FP Tube
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      DS10162
      N-channel 100 V, 0.008 Ω typ., 80 A STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, H2PAK-2 and TO-220
      1.0
      1.33 MB
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      DS10162

      N-channel 100 V, 0.008 Ω typ., 80 A STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, H2PAK-2 and TO-220

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
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      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
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      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
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      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
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      AN4191

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
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出版刊物和宣传资料

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      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      743.73 KB
      PDF
      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
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      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STF80N10F7
批量生产
TO-220FP Industrial Ecopack2

STF80N10F7

Package:

TO-220FP

Material Declaration**:

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TO-220FP

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RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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