STFH18N60M2

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N沟道600 V、0.255 Ohm典型值、13 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220FP宽沿面封装

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产品概述

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This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters. The TO-220FP wide creepage package provides increased surface insulation for Power MOSFETs to prevent failure due to arcing, which can occur in polluted environments.
  • 所有功能

    • Extremely low gate charge
    • Excellent output capacitance (COSS) profile
    • 100% avalanche tested
    • Zener-protected
    • Wide distance of 4.25 mm between the pins

All tools & software

    • 产品型号
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      STPOWER MOSFET Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

      Finder Apps ST
      STPOWER MOSFET Finder

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EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STFH18N60M2

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3D模型

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STFH18N60M2
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TO-220FP wide creepage 工业 Ecopack2

STFH18N60M2

Package:

TO-220FP wide creepage

Material Declaration**:

PDF XML

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批量生产

Package

TO-220FP wide creepage

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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ECCN (EU)
包装类型
封装
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RS COMPONENTS EUROPE 680 1 Buy from Distributor
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EAR99 NEC Tube TO-220FP wide creepage - - CHINA

STFH18N60M2

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-220FP wide creepage

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商