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These Power MOSFETs are designed using the STMicroelectronics consolidated strip-layout-based MESH OVERLAY process. The result is a product that matches or improves on the performance of comparable standard parts from other manufacturers.

主要特性
- 100% avalanche tested
- Intrinsic capacitances and Qg minimized
- High speed switching
- Fully isolated TO-3PF plastic package, creepage distance path is 5.4 mm (typ.)
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代理商名称	地区	库存	最小订购量	第三方链接
DIGIKEY	WORLDWIDE	1330	1	马上订购
RS COMPONENTS	EUROPE	715	1	马上订购
AVNET	AMERICA	315	0	马上订购
ARROW	EUROPE	2223	0	马上订购
Newark Element14	AMERICA	101	0	马上订购
ARROW	AMERICA	1086	300	马上订购
MOUSER	WORLDWIDE	729	1	马上订购
Farnell Element14	EUROPE	396	1	马上订购

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代理商名称

DIGIKEY

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AMERICA 马上订购

ARROW

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AMERICA 马上订购

MOUSER

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Farnell Element14

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封装

TO-3PF

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DIGIKEY	WORLDWIDE	1330	1	马上订购
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AVNET	AMERICA	315	0	马上订购
ARROW	EUROPE	2223	0	马上订购
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ARROW	AMERICA	1086	300	马上订购
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  STPOWER MOSFET Finder ST STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones
  
  产品型号
  
  STPOWER MOSFET Finder
  
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	STPOWER MOSFET Finder	ST	STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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产品规格

	描述	版本	文档大小	操作
	DS5052 N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 Ω typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packages	12.0	672.53 KB	PDF

DS5052

N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 Ω typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packages

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应用手册

描述	版本	文档大小	操作
AN4250 Fishbone diagram for power factor correction	1.1	772.32 KB	PDF
AN2842 Paralleling of power MOSFETs in PFC topology	1.4	896.91 KB	PDF
AN2344 Power MOSFET avalanche characteristics and ratings	1.3	880.04 KB	PDF
AN4337 The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters	1.1	347.01 KB	PDF

AN4250

Fishbone diagram for power factor correction

PDF

AN2842

Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

PDF

AN2344

Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

PDF

AN4337

The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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技术文档

	描述	版本	文档大小	操作
	TN1156 Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products	1.0	657.71 KB	PDF

TN1156

Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

PDF

用户手册
- 描述版本文档大小操作
  
  UM1575
  Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3
  1.51 MB
  PDF
  
  UM1575
  
  Spice model tutorial for Power MOSFETs
  
  PDF

	描述	版本	文档大小	操作
	UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs	1.3	1.51 MB	PDF

硬件型号、CAD库及SVD

硬件型号、CAD库及SVD
- 描述版本文档大小操作
  
  STFW3N150 PSpice model (.lib) 1.0
  970 Byte(s)
  ZIP
  
  STFW3N150 PSpice model (.lib)
  
  ZIP

	描述	版本	文档大小	操作
	STFW3N150 PSpice model (.lib)	1.0	970 Byte(s)	ZIP

出版刊物和宣传资料

宣传册

	描述	版本	文档大小	操作
	300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions	1.0	568.16 KB	PDF
	ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS	1.0	305.22 KB	PDF

300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

PDF

ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

PDF

手册
- 描述版本文档大小操作
  
  Products and solutions for solar energy 1.0
  1.29 MB
  PDF
  
  Products and solutions for solar energy
  
  PDF

	描述	版本	文档大小	操作
	Products and solutions for solar energy	1.0	1.29 MB	PDF

产品型号	供货状态	封装	等级规格	符合RoHS级别	材料声明**
STFW3N150	批量生产	TO-3PF	Industrial	Ecopack1	PDF XML

STFW3N150

Package:

TO-3PF

Material Declaration**:

PDF XML

More Info

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系销售支持。

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