STG15M120F3D8

批量生产
Design Win

1200 V、15 A沟槽栅场截止M系列低损耗IGBT晶片,D8封装

下载数据手册
概述
样片和购买
解决方案
文件
CAD资源
工具与软件
质量与可靠性
开始
Partner products
Sales Briefcase

产品概述

描述

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

  • 所有功能

    • 10 μs of short-circuit withstand time
    • Low VCE(sat) = 1.85 V (typ.) at IC = 15 A
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Tight parameter distribution
    • Minimized junction temperature: TJ = 175 °C

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STG15M120F3D8

为您的应用下载所有EDA符号、封装和3D模型,加快您的设计速度。您可以从大量CAD格式中进行选择,以匹配您的设计工具链。

Symbols

符号

Footprints

封装

3D model

3D模型

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 等级规格 材料声明**
STG15M120F3D8
批量生产
工业

STG15M120F3D8

Package:

Industrial

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Grade

Industrial

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

样片和购买

Swipe or click the button to explore more details Don't show this again
产品型号
Order from distributors
从ST订购
供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
最小值
最大值
STG15M120F3D8 Available at distributors

经销商的可用性 STG15M120F3D8

代理商名称
地区 库存 最小订购量 第三方链接

代理商库存报告日期:

无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处
批量生产
EAR99 NEC Not Applicable DICE SAWN T&R -55 175 ITALY

STG15M120F3D8 批量生产

封装:
DICE SAWN T&R
ECCN (US):
EAR99

产品型号:

STG15M120F3D8

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Not Applicable

Operating Temperature (°C)

Min:

-55

Max:

175

Country of Origin:

ITALY

Swipe or click the button to explore more details Don't show this again

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商