STG200M65F2D8AG

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汽车级650 V、200 A沟槽栅场截止M系列IGBT晶片,D8封装

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主要特性

    • AEC-Q101 qualified
    • Low-loss series IGBT
    • Low VCE(sat) = 1.55 V (typ.) at IC = 200 A
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Tight parameter distribution
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • 6 µs minimum short-circuit withstanding time at TJ = 150 °C
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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS11201
      Automotive-grade 650 V, 200 A trench gate field-stop M series IGBT die in D8 packing
      3.0
      430.91 KB
      PDF
      DS11201

      Automotive-grade 650 V, 200 A trench gate field-stop M series IGBT die in D8 packing

硬件型号、CAD库及SVD

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      STG200M65F2D8AG PSpice model 1.0
      4.54 KB
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      STG200M65F2D8AG PSpice model

出版刊物和宣传资料

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      ST IGBT FINDER app for Android and iOS 1.0
      787.04 KB
      PDF

      ST IGBT FINDER app for Android and iOS

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 等级规格 材料声明**
STG200M65F2D8AG
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汽车应用

STG200M65F2D8AG

Package:

Automotive

Material Declaration**:

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Grade

Automotive

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EAR99 NEC Tape And Reel DICE -40 175 FRANCE

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批量生产

ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

DICE

Operating Temperature (°C)

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-40

(最大值)

175

Country of Origin

FRANCE

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