产品概述
描述
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.-
所有功能
- AEC-Q101 qualified
- Low-loss series IGBT
- Low VCE(sat) = 1.55 V (typ.) at IC = 200 A
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- Tight parameter distribution
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- 6 µs minimum short-circuit withstanding time at TJ = 150 °C
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STMicroelectronics - STG200M65F2D8AG
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全部资源
| Resource title | 版本 | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 21 Mar 2019 | 21 Mar 2019 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 等级规格 | 材料声明** |
|---|---|---|---|
| STG200M65F2D8AG | 批量生产 | 汽车应用 | |
STG200M65F2D8AG
Package:
AutomotiveMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STG200M65F2D8AG | 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | DICE | -40 | 175 | FRANCE | | ||
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
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