产品概述
描述
This die is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field-stop structure. This device is a part of the H2 series IGBTs.
-
所有功能
- 5 μs of short-circuit withstand time
- Low VCE(sat)= 2.1 V (typ.) at IC = 25 A
- Tight parameter distribution
- Low switching-off losses
- Safer paralleling
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STG25H120F2D7
为您的应用下载所有EDA符号、封装和3D模型，加快您的设计速度。您可以从大量CAD格式中进行选择，以匹配您的设计工具链。
符号
封装
3D模型
样片和购买
Don't show this again
| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STG25H120F2D7 | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Not Applicable | D.SCRIB.100% VI STAT | - | - | ITALY | | ||
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
Don't show this again