STG25H120F2D7

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1200 V, 25 A trench gate field-stop H series IGBT die in D7 packing

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  • This die is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field-stop structure. This device is a part of the H2 series IGBTs.

    主要特性

    • 5 μs of short-circuit withstand time
    • Low VCE(sat)= 2.1 V (typ.) at IC = 25 A
    • Tight parameter distribution
    • Low switching-off losses
    • Safer paralleling
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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS10809
      1200 V, 25 A trench gate field-stop H series IGBT die in D7 packing
      1.1
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      DS10809

      1200 V, 25 A trench gate field-stop H series IGBT die in D7 packing

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 等级规格 材料声明**
STG25H120F2D7
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STG25H120F2D7

Package:

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ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Not Applicable

封装

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