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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series of IGBTs, which represents an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low loss and short-circuit capability are essential. Furthermore, a positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主要特性

    • 6 µs of short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 15 A
    • Tight parameter distribution
    • Safer paralleling
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode

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    • 产品型号
      状态
      描述
      类型
      供应商

      STPOWER IGBT Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

      查找器App ST
      STPOWER IGBT Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - STGB15M65DF2

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGB15M65DF2
批量生产
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss D2PAK 工业 Ecopack2

STGB15M65DF2

Package:

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

General Description

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss

Package

D2PAK

Grade

Industrial

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tape And Reel D2PAK -55 175 1.15 / 1k
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CHINA

一般描述:

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss

STGB15M65DF2

供货状态

批量生产

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EAR99

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经销商的可用性STGB15M65DF2

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WORLDWIDE 马上订购

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

D2PAK

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-55

(最大值)

175

Budgetary Price (US$)* / Qty

1.15 / 1k

Country of Origin

CHINA

一般描述

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss

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