STGB20NB41LZ

批量生产

20 A、410 V内部钳制IGBT

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产品概述

描述

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESHTM IGBTs, with outstanding performances. The built in collector-gate zener exhibits a very precise active clamping while the gate-emitter zener supplies an ESD protection.
  • 所有功能

    • HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE
    • POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN
    • LOW ON-VOLTAGE DROP
    • LOW THRESHOLD VOLTAGE
    • HIGH CURRENT CAPABILITY
    • LOW GATE CHARGE

All tools & software

    • 产品型号
      状态
      描述
      类型
      供应商

      STPOWER IGBT Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

      Finder Apps ST
      STPOWER IGBT Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STGB20NB41LZ

为您的应用下载所有EDA符号、封装和3D模型,加快您的设计速度。您可以从大量CAD格式中进行选择,以匹配您的设计工具链。

Symbols

符号

Footprints

封装

3D model

3D模型

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGB20NB41LZT4
批量生产
D2PAK 汽车应用 Ecopack1

STGB20NB41LZT4

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

D2PAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

样片和购买

产品型号
从分销商订购
从ST订购
供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Budgetary Price (US$)*/Qty
更多信息
最小值
最大值
STGB20NB41LZT4 无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处
批量生产
EAR99 NEC Tape And Reel D2PAK -55 175 1.65 / 1k
更多信息

Eoff (mJ) (typ) (@ Tc=125°C):

18.4

PTOT (W) (max):

200

Country of Origin:

CHINA

STGB20NB41LZT4

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

1.65 / 1k

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

D2PAK

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-55

(最大值)

175

Budgetary Price (US$)* / Qty

1.65 / 1k

Eoff (mJ) (typ) (@ Tc=125°C)

18.4

PTOT (W) (max)

200

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商