STGB20V60DF

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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. The device is part of the "V" series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主要特性

    • Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
    • Very high speed switching series
    • Tail-less switching off
    • Low saturation voltage: VCE(sat)= 1.8 V (typ.) @ IC= 20 A
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance
    • Very fast soft recovery antiparallel diode
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CHINA

一般描述

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed

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      600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBT

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      EMC design guides for motor control applications
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      AN4544
      IGBT datasheet tutorial
      1.1
      2.4 MB
      PDF
      AN4638
      Welding machines: V and HB series IGBTs on two-switch forward converters
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      TA0350
      New trench gate field-stop V series: the real tail-less IGBT
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      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package 1.0
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      ST IGBT FINDER: The new app for Android and iOS 1.0
      787.04 KB
      PDF

      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package

      ST IGBT FINDER: The new app for Android and iOS

产品型号 供货状态 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGB20V60DF
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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed D2PAK Industrial Ecopack2

STGB20V60DF

Package:

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

General Description

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed

Package

D2PAK

Grade

Industrial

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持