STGB6M65DF2

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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主要特性

    • 6 µs of short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 6 A
    • Tight parameter distribution
    • Safer paralleling
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode

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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss

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      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
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      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

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      AN4694
      EMC design guides for motor control applications
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      AN4544
      IGBT datasheet tutorial
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      EMC design guides for motor control applications

      AN4544

      IGBT datasheet tutorial

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出版刊物和宣传资料

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      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package 1.0
      1.67 MB
      PDF
      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen 1.0
      357.76 KB
      PDF

      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package

      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
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产品型号 供货状态 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGB6M65DF2
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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss D2PAK Industrial Ecopack2

STGB6M65DF2

Package:

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

General Description

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss

Package

D2PAK

Grade

Industrial

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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