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This device is a very fast IGBT developed using advanced PowerMESH™ technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. This device is well-suited for resonant or soft-switching applications.
主要特性
- Low on-voltage drop (VCE(sat))
- Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
- Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
- High frequency operation
样片和购买
| 产品型号 | 封装 | 包装类型 | 供货状态 | ECCN (US) | Country of Origin | 一般描述 | Approximate Price (US$)* / Qty | 从ST订购 | 从分销商订购 |
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| STGD6NC60HDT4 | DPAK | Tape And Reel | 批量生产 | EAR99 | CHINA | N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT | 1.23 / 1k | 查看供货情况 |
STGD6NC60HDT4
封装
DPAK包装类型
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| 产品型号 | 供货状态 | 一般描述 | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
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| STGD6NC60HDT4 | 批量生产 | N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT | DPAK | Industrial | Ecopack2 |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。
