产品概述
描述
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
-
所有功能
- Lower on voltage drop (VCE(sat))
- Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
- Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
- Short circuit withstand time 10µs
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STGD8NC60KD
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 一般描述 | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGD8NC60KDT4 | 批量生产 | New short circuit rugged "K" series | DPAK | 工业 | Ecopack2 |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | 一般描述 | Budgetary Price (US$)*/Qty | Country of Origin | 一般描述 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | ||||||||||||||
| STGD8NC60KDT4 | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | DPAK | -55 | 150 | CHINA | New short circuit rugged "K" series | | CHINA | New short circuit rugged "K" series | ||
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
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