STGE200NB60S

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N-channel 600 V, 150 A, low drop IGBT

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  • Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “S” identifies a family optimized to achieve very low VCE(sat) (@ max frequency of 1KHz).

    主要特性

    • High input impedance (voltage driven)
    • Off losses include tail current
    • Low on-voltage drop (Vcesat)
    • High current capability
    • Low gate charge

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N-channel 600 V, 150 A, low drop IGBT

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技术文档

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      DS2964
      N-channel 150A - 600V - ISOTOP low drop PowerMESH™ IGBT
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      N-channel 150A - 600V - ISOTOP low drop PowerMESH™ IGBT

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      AN4694
      EMC design guides for motor control applications
      1.0
      2.13 MB
      PDF
      AN4544
      IGBT datasheet tutorial
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      EMC design guides for motor control applications

      AN4544

      IGBT datasheet tutorial

出版刊物和宣传资料

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      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package 1.0
      1.67 MB
      PDF
      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen 1.0
      357.76 KB
      PDF

      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package

      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen

产品型号 供货状态 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGE200NB60S
批量生产
N-channel 600 V, 150 A, low drop IGBT ISOTOP Industrial Ecopack2

STGE200NB60S

Package:

N-channel 600 V, 150 A, low drop IGBT

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

General Description

N-channel 600 V, 150 A, low drop IGBT

Package

ISOTOP

Grade

Industrial

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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