STGF10NB60SD

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16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diode

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  • This IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process featuring extremely low on-state voltage drop in low-frequency working conditions (up to 1 kHz).

    主要特性

    • Low on-voltage drop (VCE(sat))
    • High current capability
    • Very soft ultra fast recovery antiparallel diode

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STGF10NB60SD TO-220FP Tube
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CHINA

一般描述

16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diode

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      DS4525
      16 A, 600 V, low drop IGBT with soft and fast recovery diode
      3.1
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      DS4525

      16 A, 600 V, low drop IGBT with soft and fast recovery diode

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN2747
      250 W HID metal halide electronic ballast
      1.1
      1.24 MB
      PDF
      AN4694
      EMC design guides for motor control applications
      1.0
      2.13 MB
      PDF
      AN4544
      IGBT datasheet tutorial
      1.1
      2.4 MB
      PDF
      AN2747

      250 W HID metal halide electronic ballast

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      EMC design guides for motor control applications

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      IGBT datasheet tutorial

硬件型号、CAD库及SVD

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      STGF10NB60SD PSpice Model (.lib) 1.0
      2.71 KB
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出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package 1.0
      1.67 MB
      PDF
      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen 1.0
      357.76 KB
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      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package

      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen

产品型号 供货状态 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGF10NB60SD
批量生产
16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diode TO-220FP Industrial Ecopack2

STGF10NB60SD

Package:

16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diode

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

General Description

16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diode

Package

TO-220FP

Grade

Industrial

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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