STGF19NC60HD

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19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode

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  • These devices are ultrafast IGBT. They utilize the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.

    主要特性

    • Low on-voltage drop (VCE(sat))
    • Very soft Ultrafast recovery anti-parallel diode

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19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode

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技术文档

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      DS4967
      19 A, 600 V, very fast IGBT with ultrafast diode
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      19 A, 600 V, very fast IGBT with ultrafast diode

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      AN4694
      EMC design guides for motor control applications
      1.0
      2.13 MB
      PDF
      AN4544
      IGBT datasheet tutorial
      1.1
      2.4 MB
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      AN4694

      EMC design guides for motor control applications

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      IGBT datasheet tutorial

出版刊物和宣传资料

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      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package 1.0
      1.67 MB
      PDF
      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen 1.0
      357.76 KB
      PDF

      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package

      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen

产品型号 供货状态 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGF19NC60HD
批量生产
19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode TO-220FP Industrial Ecopack2

STGF19NC60HD

Package:

19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

General Description

19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode

Package

TO-220FP

Grade

Industrial

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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