产品概述
描述
These devices are ultrafast IGBT. They utilize the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
-
所有功能
- Low on-voltage drop (VCE(sat))
- Very soft Ultrafast recovery anti-parallel diode
特别推荐
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STMicroelectronics - STGF19NC60HD
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 一般描述 | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGF19NC60HD | NRND | 19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode | TO-220FP | 工业 | Ecopack2 | |
STGF19NC60HD
Package:
19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diodeMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | 一般描述 | Budgetary Price (US$)*/Qty | Country of Origin | 一般描述 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | ||||||||||||||
| STGF19NC60HD | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | NRND | EAR99 | NEC | Tube | TO-220FP | -55 | 150 | CHINA | 19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode | | CHINA | 19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode | ||
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
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