STGH30H65DFB-2AG

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汽车级600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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产品概述

描述

该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该设备是新型“HB”系列IGBT中的成员,有效平衡了导通损耗与开关损耗,大幅提升了频率转换器的效率。此外,它的VCE(sat)微正温度系数特性和超紧密的参数分布,使得并联操作更为安全。

  • 所有功能

    • 符合AEC-Q101
    • 高速开关系列
    • 最大结温:TJ = 175 °C
    • VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A
    • 安全并联
    • 紧凑参数分布
    • 低热阻
    • 柔软、恢复速度极快的反向并联晶体管

All tools & software

    • 产品型号
      状态
      描述
      类型
      供应商

      STPOWER IGBT Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

      Finder应用程序 ST
      STPOWER IGBT Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STGH30H65DFB-2AG

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符号

Footprints

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3D model

3D模型

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 一般描述 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGH30H65DFB-2AG
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Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT in an H2PAK-2 package H2PAK-2 汽车应用 Ecopack1

STGH30H65DFB-2AG

Package:

Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT in an H2PAK-2 package

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

General Description

Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT in an H2PAK-2 package

Package

H2PAK-2

Grade

Automotive

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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一般描述:

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