产品概述
描述
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该设备是新型“HB”系列IGBT中的成员，有效平衡了导通损耗与开关损耗，大幅提升了频率转换器的效率。此外，它的VCE(sat)微正温度系数特性和超紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
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所有功能
- 符合AEC-Q101
- 高速开关系列
- 最大结温：TJ = 175 °C
- VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A
- 安全并联
- 紧凑参数分布
- 低热阻
- 柔软、恢复速度极快的反向并联晶体管
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STGH30H65DFB-2AG
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符号
封装
3D模型
全部资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 12 Apr 2022 | 12 Apr 2022 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 一般描述 | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGH30H65DFB-2AG | 批量生产 | Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT in an H2PAK-2 package | H2PAK-2 | 汽车应用 | Ecopack1 |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | 一般描述 | Budgetary Price (US$)*/Qty | Country of Origin | 一般描述 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | ||||||||||||||
| STGH30H65DFB-2AG | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | H2PAK-2 | - | 175 | CHINA | Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT in an H2PAK-2 package | | CHINA | Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT in an H2PAK-2 package | ||
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