STGP10M65DF2

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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主要特性

    • 6 µs of short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 10 A
    • Tight parameter distribution
    • Safer paralleling
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

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STGP10M65DF2 TO-220AB Tube
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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

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      DS10803
      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low-loss in TO-220 package
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      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low-loss in TO-220 package

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      AN4694
      EMC design guides for motor control applications
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      AN4544
      IGBT datasheet tutorial
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      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package 1.0
      1.67 MB
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      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen 1.0
      357.76 KB
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      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package

      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

产品型号 供货状态 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGP10M65DF2
批量生产
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss TO-220AB Industrial Ecopack2

STGP10M65DF2

Package:

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

General Description

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

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