STGP10NB60SD

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16 A、600 V低压降IGBT,带柔软、恢复速度极快的二极管

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This IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process featuring extremely low on-state voltage drop in low-frequency working conditions (up to 1 kHz).

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      STPOWER IGBT Finder

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      STPOWER IGBT Finder

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      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - STGP10NB60SD

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGP10NB60SD
批量生产
16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diode TO-220 工业 Ecopack2

STGP10NB60SD

Package:

16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diode

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

General Description

16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diode

Package

TO-220

Grade

Industrial

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tube TO-220 -65 150 0.8 / 1k
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Country of Origin:

CHINA

一般描述:

16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diode

STGP10NB60SD

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

0.8 / 1k

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MOUSER WORLDWIDE 358 1 马上订购

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代理商名称

MOUSER

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WORLDWIDE 马上订购

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-220

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-65

(最大值)

150

Budgetary Price (US$)* / Qty

0.8 / 1k

Country of Origin

CHINA

一般描述

16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diode

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商