STGP15M120F3

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1200 V、15 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT,TO-220封装

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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
  • 所有功能

    • 10 μs of minimum short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 15 A
    • Tight parameter distribution
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

特别推荐

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    • 产品型号
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      STPOWER IGBT Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

      Finder Apps ST
      STPOWER IGBT Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STGP15M120F3

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGP15M120F3
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TO-220 工业 Ecopack2

STGP15M120F3

Package:

TO-220

Material Declaration**:

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Package

TO-220

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
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批量生产
EAR99 NEC Tube TO-220 -55 175 CHINA

STGP15M120F3

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-220

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-55

(最大值)

175

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Country of Origin

CHINA

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