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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主要特性

    • 10 µs of minimum short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 8 A
    • Tight parameter distribution
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

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      DS11847
      Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package
      2.0
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      DS11847

      Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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