STGW25H120DF2

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1200 V、25 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high-switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
  • 所有功能

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • High speed switching series
    • Minimized tail current
    • VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 25 A
    • 5 μs minimum short circuit withstand time at TJ = 150 °C
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance
    • Very fast recovery antiparallel diode

特别推荐

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    • 产品型号
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      STPOWER IGBT Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

      查找器App ST
      STPOWER IGBT Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - STGW25H120DF2

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGW25H120DF2
批量生产
TO-247 工业 Ecopack2

STGW25H120DF2

Package:

TO-247

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
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最大值
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FUTURE WORLDWIDE 590 1 马上订购
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STGW25H120DF2

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EAR99

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DIGIKEY

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FUTURE

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-247

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-55

(最大值)

175

Budgetary Price (US$)* / Qty

3.5 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商