STGW25M120DF3 - Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss - STMicroelectronics

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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive V_CE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

主要特性
- Maximum junction temperature: T_J = 175 °C
- 10 μs of short-circuit withstand time
- Low V_CE(sat) = 1.85 V (typ.) @ I_C = 25 A
- Tight parameter distribution
- Positive V_CE(sat) temperature coefficient
- Low thermal resistance
- Soft- and fast-recovery antiparallel diode
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STGW25M120DF3

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  DS10300
  Trench gate field-stop, 1200 V, 25 A, low-loss M series IGBT in a TO-247 package 4.0
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  DS10300
  
  Trench gate field-stop, 1200 V, 25 A, low-loss M series IGBT in a TO-247 package
  
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应用手册

	描述	版本	文档大小	操作
	AN4694 EMC design guides for motor control applications	1.0	2.13 MB	PDF
	AN4929 H series 1200 V IGBTs on 3-phase full-bridge DC-DC power converter welding machine	1.1	1.35 MB	PDF
	AN4544 IGBT datasheet tutorial	1.1	2.4 MB	PDF

AN4694

EMC design guides for motor control applications

AN4929

H series 1200 V IGBTs on 3-phase full-bridge DC-DC power converter welding machine

AN4544

IGBT datasheet tutorial

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出版刊物和宣传资料

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	描述	版本	文档大小	操作
	ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen	1.0	357.76 KB	PDF
	Trench gate field-stop IGBT 1200V M series	1.0	1.9 MB	PDF

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Trench gate field-stop IGBT 1200V M series

产品型号	供货状态	封装	等级规格	符合RoHS级别	材料声明**
STGW25M120DF3	批量生产	TO-247	Industrial	Ecopack2	PDF XML

STGW25M120DF3

Package:

TO-247

Material Declaration**:

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系销售支持。