STGW28IH125DF

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1250 V、25 A IH系列沟槽栅场截止IGBT

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These IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure and performance is optimized in both conduction and switching losses. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is co-packaged. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for any resonant and soft-switching application.
  • 所有功能

    • Designed for soft commutation only
    • Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
    • Minimized tail current
    • VCE(sat)= 2.0 V (typ.) @ IC= 25 A
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low VFsoft recovery co-packaged diode
    • Low thermal resistance
    • Lead free package

特别推荐

相关应用

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      STPOWER IGBT Finder

      批量生产

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      STPOWER IGBT Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - STGW28IH125DF

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGW28IH125DF
批量生产
TO-247 工业 Ecopack2

STGW28IH125DF

Package:

TO-247

Material Declaration**:

PDF XML

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批量生产

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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ECCN (US)
ECCN (EU)
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封装
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EAR99

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-247

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-55

(最大值)

175

Budgetary Price (US$)* / Qty

3.3 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商