STGW30M65DF2

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沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、30 A,低损耗

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产品概述

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These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The devices are part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
  • 所有功能

    • 6 µs of minimum short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A
    • Tight parameters distribution
    • Safer paralleling
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode

All tools & software

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      STPOWER IGBT Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

      Finder应用程序 ST
      STPOWER IGBT Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

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STMicroelectronics - STGW30M65DF2

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产品型号 Marketing Status 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGW30M65DF2
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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss TO-247 工业 Ecopack2

STGW30M65DF2

Package:

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

Material Declaration**:

PDF XML

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批量生产

General Description

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

Package

TO-247

Grade

Industrial

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tube TO-247 -55 175

CHINA

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

STGW30M65DF2 批量生产

封装:
TO-247
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

产品型号:

STGW30M65DF2

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tube

Operating Temperature (°C)

Min:

-55

Max:

175

Country of Origin:

CHINA

一般描述:

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

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DIGIKEY WORLDWIDE 3 1 Buy from Distributor
MOUSER WORLDWIDE 1 1 Buy from Distributor

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DIGIKEY

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(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商