STGW35HF60WDI

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35 A、600 V超高速IGBT,带低压降二极管

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产品概述

描述

This ultrafast IGBT is developed using a new planar technology to yield a device with tighter switching energy variation (Eoff) versus temperature. The suffix "W" denotes a subset of products designed for high switching frequency operation (over 100 kHz).
  • 所有功能

    • Improved Eoffat elevated temperature
    • Low CRES / CIESratio (no cross-conduction susceptibility)
    • Low VF soft recovery antiparallel diode

All tools & software

    • 产品型号
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      STPOWER IGBT Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

      Finder Apps ST
      STPOWER IGBT Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STGW35HF60WDI

为您的应用下载所有EDA符号、封装和3D模型,加快您的设计速度。您可以从大量CAD格式中进行选择,以匹配您的设计工具链。

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产品型号 Marketing Status 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGW35HF60WDI
批量生产
35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode TO-247 工业 Ecopack2

STGW35HF60WDI

Package:

35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

General Description

35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode

Package

TO-247

Grade

Industrial

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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供货状态
ECCN (US)
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包装类型
封装
温度(ºC) Budgetary Price (US$)*/Qty
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EAR99 NEC Tube TO-247 175 150
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Country of Origin:

CHINA

一般描述:

35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode

STGW35HF60WDI

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-247

Operating Temperature (°C)

(最小值)

175

(最大值)

150

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

一般描述

35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商