STGW35HF60WDI

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35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode

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  • This ultrafast IGBT is developed using a new planar technology to yield a device with tighter switching energy variation (Eoff) versus temperature. The suffix "W" denotes a subset of products designed for high switching frequency operation (over 100 kHz).

    主要特性

    • Improved Eoffat elevated temperature
    • Low CRES / CIESratio (no cross-conduction susceptibility)
    • Low VF soft recovery antiparallel diode

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CHINA

一般描述

35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode

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      EMC design guides for motor control applications
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      IGBT datasheet tutorial
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      EMC design guides for motor control applications

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      IGBT datasheet tutorial

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package 1.0
      1.67 MB
      PDF
      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen 1.0
      357.76 KB
      PDF
      Ultra-fast (W series) HF - IGBTS 1.1
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      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package

      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen

      Ultra-fast (W series) HF - IGBTS

产品型号 供货状态 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGW35HF60WDI
批量生产
35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode TO-247 Industrial Ecopack2

STGW35HF60WDI

Package:

35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

General Description

35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode

Package

TO-247

Grade

Industrial

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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