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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. A faster switching event can be achieved by the Kelvin pin, which separates power path from driving signal. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主要特性

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin
    • Low VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 60 A
    • Minimized tail current
    • Tight parameter distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance
    • Very fast soft recovery antiparallel diode

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      STPOWER IGBT Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

      查找器App ST
      STPOWER IGBT Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

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STMicroelectronics - STGW60H65DFB-4

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产品型号 Marketing Status 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGW60H65DFB-4
批量生产
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed TO247-4 工业 Ecopack2

STGW60H65DFB-4

Package:

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

General Description

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

Package

TO247-4

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Industrial

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CHINA

一般描述:

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

STGW60H65DFB-4

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EAR99

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NEC

包装类型

Tube

封装

TO247-4

Operating Temperature (°C)

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-55

(最大值)

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CHINA

一般描述

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

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