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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed

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  • These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the V series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主要特性

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • Tail-less switching off
    • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance
    • Very fast soft recovery antiparallel diode

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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed

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      IGBT datasheet tutorial
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      TA0350
      New trench gate field-stop V series: the real tail-less IGBT
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      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package 1.0
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      ST IGBT FINDER: The new app for Android and iOS 1.0
      787.04 KB
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      STPOWER™ Transistors in the 10 years longevity program 1.0
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产品型号 供货状态 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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批量生产
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed TO-247 Industrial Ecopack2

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Package:

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

General Description

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed

Package

TO-247

Grade

Industrial

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持