产品概述
描述
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.-
所有功能
- 10 µs of short-circuit withstand time
- VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 8 A
- Tight parameter distribution
- Safer paralleling
- Low thermal resistance
- Soft and very fast recovery antiparallel diode
精选 视频
All tools & software
全部资源
| Resource title | Latest update |
|---|
产品规格 (1)
| Resource title | Latest update | |||
|---|---|---|---|---|
| 02 Nov 2017 | 02 Nov 2017 |
应用手册 (3)
| Resource title | Latest update | |||
|---|---|---|---|---|
| 19 Mar 2021 | 19 Mar 2021 | |||
| 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | |||
| 19 Mar 2021 | 19 Mar 2021 |
宣传册 (3)
| Resource title | Latest update | |||
|---|---|---|---|---|
| 04 May 2020 | 04 May 2020 | |||
| 03 Mar 2021 | 03 Mar 2021 | |||
| 30 Apr 2021 | 30 Apr 2021 |
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STGW8M120DF3
为您的应用下载所有EDA符号、封装和3D模型，加快您的设计速度。您可以从大量CAD格式中进行选择，以匹配您的设计工具链。
符号
封装
3D模型
全部资源
| Resource title | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | Latest update | |||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 22 Nov 2016 | 22 Nov 2016 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|
| STGW8M120DF3 | 批量生产 | TO-247 | 工业 | Ecopack2 | |
STGW8M120DF3
Package:
TO-247Material Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。
样片和购买
| 产品型号 | 从分销商订购 | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STGW8M120DF3 | 2 distributors | Buy Direct | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tube | TO-247 | -55 | 175 | CHINA | ||
