STGWA15H120F2

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1200 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

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  • These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the improved H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of high frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主要特性

    • Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
    • High speed switching series
    • Minimized tail current
    • VCE(sat)= 2.1 V (typ.) @ IC= 15 A
    • 5 μs minimum short-circuit withstand time at TJ=150 °C
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance

特别推荐

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    • 产品型号
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      STPOWER IGBT Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

      查找器App ST
      STPOWER IGBT Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

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STMicroelectronics - STGWA15H120F2

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGWA15H120F2
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(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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NEC

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CHINA

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